Ideale Diode
Viele Geräte, die einen Steckkontakt für die Stromversorgung haben, sind mit einer Diode als Verpolschutz ausgerüstet. Dies ist sinnvoll, da es unterschiedliche Steckerbelegungen gibt und es auch versehentlich passieren kann, dass etwas falsch herum angeschlossen wird. Ein kleiner Nachteil der Diode ist ihr Spannungsabfall, der bei kleinen Verbrauchern praktisch keine Rolle spielt, aber zum Beispiel bei QRP-Transceivern einen direkten Einfluss auf die Sendeleistung hat.
Deshalb habe ich eine kleine Leiterplatte mit einer "idealen Diode" entworfen.
Die Schaltung wurde in der Ausgabe 6-2023 der CQ DL in einem Artikel ausführlich vorgestellt.
Bei einem P-MOSFET muss die Spannung am Gate bezogen auf Source niedriger sein, um ihn einzuschalten. Die „Body Diode“ ist in Flussrichtung und leitet im ersten Moment. Die Spannung an Source (Pin 3) entspricht dann der Versorgungsspannung, das Gate (Pin 1) ist über R1 mit GND verbunden. Entsprechend ergibt sich eine Gate-Source Spannung von -12 V und der MOSFET wird leitend.
Download
Die Unterlagen können hier heruntergeladen werden.
Bei Interesse kann ich ggf. mit Leiterplatten und Bauteilen aushelfen.
Deshalb habe ich eine kleine Leiterplatte mit einer "idealen Diode" entworfen.
Die Schaltung wurde in der Ausgabe 6-2023 der CQ DL in einem Artikel ausführlich vorgestellt.
Bei einem P-MOSFET muss die Spannung am Gate bezogen auf Source niedriger sein, um ihn einzuschalten. Die „Body Diode“ ist in Flussrichtung und leitet im ersten Moment. Die Spannung an Source (Pin 3) entspricht dann der Versorgungsspannung, das Gate (Pin 1) ist über R1 mit GND verbunden. Entsprechend ergibt sich eine Gate-Source Spannung von -12 V und der MOSFET wird leitend.
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Bei Interesse kann ich ggf. mit Leiterplatten und Bauteilen aushelfen.